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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括具有单元区域和与单元区域相邻的连接区域的衬底。下堆叠结构和上堆叠结构设置在衬底上。沟道结构设置为穿过上堆叠结构和下堆叠结构。多个下互连层中最上面的下互连层中包括的下延伸线部分和多个上互连层中最下面的上互连层中包括的上延伸线部分之间的距离小于多个下互连层中最上面的下互连层中包括的下栅电极部分与多个上互连层中最下面的上互连层中包括的上栅电极部分之间的距离。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有单元区域和与所述单元区域相邻的连接区域；包括多个下绝缘层和多个下导电层的下堆叠结构，所述多个下绝缘层和所述多个下导电层在所述衬底上彼此交替地堆叠，所述多个下导电层中的每一个包括：在所述单元区域中的下栅电极部分，和在所述连接区域中的下延伸线部分，所述下延伸线部分从所述下栅电极部分延伸；包括多个上绝缘层和多个上导电层的上堆叠结构，所述多个上绝缘层和所述多个上导电层在所述下堆叠结构上彼此交替地堆叠，所述多个上导电层中的每一个包括：在所述单元区域中的上栅电极部分，和在所述连接区域中的上延伸线部分，所述上延伸线部分从所述上栅电极部分延伸，所述下栅电极部分的最上表面与所述上栅电极部分的最下表面之间的第一距离大于所述下延伸线部分的最上表面与所述上延伸线部分的最下表面之间的第二距离，并且所述衬底与所述下栅电极部分的最下表面之间的第三距离小于所述衬底与所述下延伸线部分的最下表面之间的第四距离；以及穿过所述上堆叠结构和所述下堆叠结构的沟道结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括多堆叠结构的半导体器件
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