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申请/专利权人：株式会社村田制作所
摘要：本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管101，形成在半导体基板301上；晶体管111，形成在半导体基板301上，向晶体管101供给基于控制电流Ic的一部分的偏置电流Ib；晶体管112，形成在半导体基板301上，该晶体管112的集电极被供给控制电流Ic的一部分，从该晶体管112的发射极输出基于电流I2的电流I3；凸块201，与晶体管101的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板301时与配置有晶体管101的配置区域A1重叠；以及凸块202，设置为在俯视时与配置有晶体管112的配置区域A2重叠。
主权项：1.一种功率放大电路，具备：第一晶体管，形成在半导体基板上；第二晶体管，形成在上述半导体基板上，该第二晶体管的基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流，该第二晶体管向上述第一晶体管供给基于上述第一电流的偏置电流；第三晶体管，形成在上述半导体基板上，该第三晶体管的集电极被供给作为上述控制电流的一部分的第二电流，从该第三晶体管的发射极输出基于上述第二电流的第三电流；第一金属部件，与上述第一晶体管的发射极电连接，设置为在从垂直于上述半导体基板的主面的方向俯视上述半导体基板时与配置有上述第一晶体管的第一配置区域重叠；以及第二金属部件，设置为在上述俯视时与配置有上述第三晶体管的第二配置区域重叠，上述第一金属部件以及上述第二金属部件是凸块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社村田制作所 功率放大电路、半导体器件
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