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申请/专利权人：西南大学

摘要：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器。包括无源谐振腔体和负阻电路，无源谐振腔体由第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板和第四介质基板组成，第一介质基板位于第二介质基板的顶部，第二介质基板位于第三介质基板的顶部，第三介质基板位于第四介质基板的顶部，第一介质基板中均匀开设有多个第一金属通孔。本发明提供的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，将谐振腔体采用封闭式结构，电磁波能量在等效金属壁的作用下，无法辐射到腔体外部，从而保证了无源谐振腔较高的品质因数；另外腔体结构的设计，也为气体进入腔体内部进行响应提供了空间。

主权项：1.基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器，其特征在于，包括无源谐振腔体和负阻电路（2），所述无源谐振腔体由第一介质基板（11）、第二介质基板（12）、第三介质基板（13）和第四介质基板（14）组成，所述第一介质基板（11）位于第二介质基板（12）的顶部，第二介质基板（12）位于第三介质基板（13）的顶部，第三介质基板（13）位于第四介质基板（14）的顶部，所述第一介质基板（11）中均匀开设有多个第一金属通孔（111），所述第二介质基板（12）中均匀开设有多个第二金属通孔（121），所述第三介质基板（13）中均匀开设有多个第三金属通孔（131），所述第四介质基板（14）中均匀开设有多个第四金属通孔（141）；所述第一介质基板（11）的顶部蚀刻出第一共面波导馈电线（115）、第二共面波导馈电线（116）和第三共面波导馈电线（117），所述第一共面波导馈电线（115）和第二共面波导馈电线（116）均位于第一介质基板（11）的顶层，所述第三共面波导馈电线（117）位于第一介质基板（11）的另一端，所述第三共面波导馈电线（117）与负阻电路（2）连接；所述第二介质基板（12）的顶部固定有第一矩形金属层（123），所述第二介质基板（12）的底部固定有第二介质基板底层金属（124），所述第三介质基板（13）的顶部固定有第三介质基板顶层金属（134），所述第三介质基板（13）的底部固定有第二矩形金属层（133）；所述第二介质基板（12）的中心区域开设有矩形阵列的第五金属化通孔（122），所述第三介质基板（13）的中心区域开设有矩形阵列的第六金属化通孔（132），且第五金属化通孔（122）与第六金属化通孔（132）的大小与排列方式相同；所述第五金属化通孔（122）的底部与第二介质基板底层金属（124）相连，所述第五金属化通孔（122）的顶部与第一矩形金属层（123）相连，形成上电容柱；所述第二介质基板底层金属（124）靠近第三共面波导馈电线（117）的一侧蚀刻有第一矩形缝隙（125），且所述第一矩形缝隙（125）靠近第二金属通孔（121）；所述第六金属化通孔（132）的顶部与第三介质基板顶层金属（134）相连，所述第六金属化通孔（132）的底部与第二矩形金属层（133）相连，形成下电容柱；所述第三介质基板顶层金属（134）靠近第三共面波导馈电线（117）的一侧蚀刻有第二矩形缝隙（135），且所述第二矩形缝隙（135）靠近第三金属通孔（131），所述第二矩形缝隙（135）与第一矩形缝隙（125）尺寸相同；所述第二介质基板（12）两侧的内部均蚀刻有第三未金属化通孔（127），所述第三介质基板（13）两侧的内部均蚀刻有第四未金属化通孔（137），所述第三未金属化通孔（127）和第四未金属化通孔（137）均形成金属栅孔，且第三未金属化通孔（127）形成的金属栅孔与第四未金属化通孔（137）形成的金属栅孔大小与排列方式一致。

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