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申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所
摘要：本发明涉及一种低纯铌‑高纯铌混合制备超导腔及其制备方法，该低纯铌‑高纯铌混合制备超导腔包括：超导腔的几何结构确定后，通过有限元分析得到所述超导腔内的高频电磁场分布，在运行的过程中，腔体发热最严重的区域在强磁场区，此区域采用高纯铌板材或棒材，而在其他区域采用低纯铌板材或棒材。本发明通过低纯铌和高纯铌来混合制备超导腔，根据超导腔的高频电磁场分布，在不同的位置上采用不同纯度的铌材来制备，从而降低整个工程的造价，还可以提高超导腔的机械强度。
主权项：1.一种低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述超导腔的几何结构确定后，通过有限元分析得到所述超导腔内的高频电磁场分布，在运行的过程中，腔体发热最严重的区域在强磁场区，此区域采用高纯铌板材或棒材，而在其他区域采用低纯铌板材或棒材；所述超导腔包括：外导体（1），其为中空结构，所述外导体（1）的第一端固定在底板（5）上，在靠近所述外导体（1）的第一端处开设有沿其轴向对称设置的两槽孔，所述槽孔内装配有鼻锥（9），所述鼻锥（9）上装配有束流管道（10）；内导体（2），其亦为中空结构，设置于所述外导体（1）的空腔中，所述内导体（2）的第一端装配有漂移管（8），所述漂移管（8）与所述束流管道（10）位于同一中心轴线上；所述超导腔为四分之一波长腔，所述内导体（2）为高纯铌腔体；所述外导体（1）为低纯铌腔体，所述鼻锥（9）为低纯铌鼻锥，所述束流管道（10）为低纯铌束流管道，所述漂移管（8）为低纯铌漂移管。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院近代物理研究所 低纯铌-高纯铌混合制备超导腔及其制备方法
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