买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：福建兆元光电有限公司

摘要：本发明提供一种改善后置电极SiO2脱落的化学气相沉积方法，包括步骤：将镀有SiO2的LED芯片放入化学气相沉积机台内，并控制化学气相沉积机台内的温度保持在预设温度；依次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长种子层；再次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长生长层。本发明通过改变SiO2的成膜结构，以提升LED芯片表面SiO2保护层的质量，从而有效防止LED芯片表面后置电极SiO2的脱落，提高LED的使用寿命。

主权项：1.一种改善后置电极SiO2脱落的化学气相沉积方法，其特征在于，包括步骤：S1、将镀有SiO2的LED芯片放入化学气相沉积机台内，并控制所述化学气相沉积机台内的温度保持在预设温度；S2、依次向所述化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长种子层；S3、再次向所述化学气相沉积机台内通入两次所述预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长生长层；所述步骤S2具体包括以下步骤：S21、向所述化学气相沉积机台内通入一次所述预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，维持5～15秒；S22、控制所述化学气相沉积机台工作在80～100W射频功率模式下，再向所述化学气相沉积机台内通入一次所述预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，维持5～15秒，生长种子层；所述步骤S22之后还包括步骤：S23、将所述射频功率修改为150～170W，再向所述化学气相沉积机台内通入一次所述预设体积流量的N2O气体，并维持115～125秒，清除所述种子层表面的气体离子；所述步骤S23之后还包括步骤：S24、重复一次所述步骤S21-S22；所述步骤S24之后还包括步骤：S25、将所述射频功率修改为150～170W，再向所述化学气相沉积机台内通入一次所述预设体积流量的N2O气体，并维持55～65秒，再次清除所述种子层表面的气体离子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建兆元光电有限公司 一种改善后置电极SiO₂脱落的化学气相沉积方法