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申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室
摘要：本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法，通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽，同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前，对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离，实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽，不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构，具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点，实际应用价值高。
主权项：1.一种Micro-LED阵列及隔离沟槽的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S01：将外延层转移至金属基板上，外延层自上而下为N型层、有源层、P型层；步骤S02：使用干法刻蚀方法刻蚀N型层，减小外延层的厚度，干法刻蚀后的外延层的厚度为h；步骤S03：使用湿法腐蚀的方法腐蚀N型层，在N型层的表面形成六棱锥粗化颗粒；步骤S04：在N型层的表面沉积硬质掩膜层，通过光刻、刻蚀工艺将硬质掩膜层图形化，暴露隔离沟槽的位置；步骤S05：使用高温磷酸腐蚀隔离沟槽的位置处的外延层，形成贯穿外延层的隔离沟槽并暴露Micro-LED阵列单元的侧壁，同时形成Micro-LED阵列；所述隔离沟槽的宽度为d，hd0.94；步骤S06：在所述隔离沟槽和Micro-LED阵列单元的侧壁制备绝缘层，Micro-LED阵列单元的侧壁被绝缘层包覆，完成Micro-LED阵列及隔离沟槽的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌大学 南昌硅基半导体科技有限公司 南昌实验室 一种氮化镓基Micro-LED阵列及隔离沟槽的制备方法
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