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申请/专利权人：南昌三盛半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种铂薄膜温度传感器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一陶瓷衬底；对陶瓷衬底的其中一个表面进行碳离子注入，形成碳离子层；对碳离子层进行刻蚀，得到位于碳离子层中的容置槽；在容置槽内依次沉积粘附层、第一铂薄膜层与第二铂薄膜层；对第二铂薄膜层进行热处理，使第二铂薄膜层与第一铂薄膜层进行热结合，得到的目标铂薄膜层；对目标铂薄膜层进行研磨，使目标铂薄膜层与陶瓷衬底的表面齐平；在容置槽的端部，将目标铂薄膜层的端部与铂导线的端部进行烧结固定；在陶瓷衬底之上沉积封装层，得到铂薄膜温度传感器。本发明解决了现有技术中铂薄膜容易出现穿孔而影响传感器性能，降低使用寿命的问题。
主权项：1.一种铂薄膜温度传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一陶瓷衬底；对所述陶瓷衬底的其中一个表面进行碳离子注入，以在所述陶瓷衬底内形成碳离子层；按照预设的掩膜版，对所述碳离子层进行刻蚀，得到位于所述碳离子层中向内凹陷形成的容置槽；在所述容置槽内依次沉积粘附层、第一铂薄膜层与第二铂薄膜层；对所述第二铂薄膜层进行热处理，使所述第二铂薄膜层与所述第一铂薄膜层进行热结合，得到位于所述容置槽内的目标铂薄膜层；对所述目标铂薄膜层进行研磨，使所述目标铂薄膜层在所述容置槽内与所述陶瓷衬底的表面齐平；在所述容置槽的端部，将所述目标铂薄膜层的端部与铂导线的端部进行烧结固定；在所述陶瓷衬底之上沉积封装层，以将所述目标铂薄膜层及其与所述铂导线的结合处进行覆盖，得到铂薄膜温度传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌三盛半导体有限公司 一种铂薄膜温度传感器及其制备方法
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