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申请/专利权人:天津华慧芯科技集团有限公司
摘要:本发明公开了一种纳米压印母版的高精度测量方法,属于纳米压印技术领域,包括以下步骤:S1,通过相同的工艺制备压印母版正式片和压印母版陪片,分别在压印母版正式片和压印母版陪片上制作图形区和测试区,测试区位于图形区的外侧,测试区的深宽比小于1;S2,深度测量,具体包括:测量压印母版陪片上图形区的深度Z1;测量压印母版陪片上测试区的深度H1;测量压印母版正式片上测试区的深度H;S3,计算压印母版正式片上图形区的深度Z;Z=Z1H1*H;本发明解决了现有的无损测量技术无法准确测量纳米压印母版的深度,导致压印母版的精度无法保证,影响生产良率的技术问题,实现对高深宽比纳米压印母版深度的精确测量。
主权项:1.一种纳米压印母版的高精度测量方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,通过相同的工艺依次制备压印母版正式片和压印母版陪片,分别在所述压印母版正式片和压印母版陪片上制作图形区和测试区,所述测试区位于图形区的外侧,所述测试区的深宽比小于1;所述相同的工艺指的是:所述压印母版正式片上图形区和测试区的刻蚀速率比值固定;所述压印母版陪片上图形区和测试区的刻蚀速率比值固定;所述压印母版正式片的刻蚀速率比值和压印母版陪片的刻蚀速率比值相同;S2,深度测量,具体包括:采用裂片截面扫描电镜或者聚焦离子束的方法,对压印母版陪片上图形区的深度进行测量,所述压印母版陪片上图形区的深度为Z1;采用原子力显微镜对压印母版正式片和压印母版陪片上测试区的深度进行无损测量,所述压印母版陪片上测试区的深度为H1,所述压印母版正式片上测试区的深度为H;S3,计算压印母版正式片上图形区的深度Z:Z=Z1H1*H。
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百度查询: 天津华慧芯科技集团有限公司 一种纳米压印母版的高精度测量方法
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