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Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料及其制备和应用 

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申请/专利权人:湖南大学

摘要:本发明属于二维材料制备领域,具体涉及一种Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料的定向可控制备方法,在衬底上制备2HMoTe2,随后将其在含氢气氛、620~720℃的温度下退火,制得Mo6Te6材料一维纳米线及准二维纳米带阵列。此外,本发明还包括所述制备方法制得的材料及其应用。本发明所述的方法,能够高定向地获得Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料,且该方法得到的材料具有优异的性能。

主权项:1.一种Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料的定向可控制备方法,其特征在于,在衬底上制备2HMoTe2,随后将其在含氢气氛、620~720℃的温度下退火,制得Mo6Te6材料一维纳米线及准二维纳米带阵列。

全文数据:

权利要求:

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