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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法，具体过程为：步骤1，对碳布表面进行活化处理；步骤2，将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理，再离心、干燥后，得到CdO凝胶层包覆的碳布；步骤3，采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理，得到CdO陶瓷层包覆的碳布；步骤4，采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒，得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。本发明光催化材料具有优异的光催化降解性能、压电光催化降解性能、吸附脱附能力和循环使用性能，而且回收方便。
主权项：1.CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，对碳布表面进行活化处理；步骤2，将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理，再离心、干燥后，得到CdO凝胶层包覆的碳布；步骤3，采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理，得到CdO陶瓷层包覆的碳布；步骤4，采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒，得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法
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