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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要：本发明公开一种高效电流复用型折叠共源共栅运算放大器，属于模拟集成电路领域，包括第一NMOS管～第十四NMOS管、第一PMOS管～第十二PMOS管、第一输出电容和第二输出电容；本发明在输入差分对处引入交叉耦合结构，通过短接交叉耦合结构中适当的节点和对交流小信号电流的复用实现将最终输出端处等效跨导的放大，最终电路可在相同偏置电流下实现更高的直流增益和环路带宽。此外因采用交叉耦合结构所构成的有源电流镜负载代替了输入差分对处的恒定电流源负载，所以当电路输入状态发生转换时其输出端可具有更大的动态电流和输出摆率。

主权项：1.一种高效电流复用型折叠共源共栅运算放大器，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第一输出电容和第二输出电容；所述第一NMOS管的漏端接第五NMOS管的源端，栅端接第二NMOS管的栅端，源端接GND；第二NMOS管的漏端接第六NMOS管的源端，栅端接第一NMOS管的栅端，源端接GND；第三NMOS管的漏端接第七NMOS管的源端，栅端接第四NMOS管的栅端，源端接GND；第五NMOS管的漏端接第五PMOS管的漏端，栅端接第六NMOS管的栅端，源端接第一NMOS管的漏端；第六NMOS管的漏端接第三PMOS管的漏端，栅端接第五NMOS管的栅端，源端接第二NMOS管的漏端；第七NMOS管的漏端接第二PMOS管的漏端，栅端接第八NMOS管的栅端，源端接第三NMOS管的漏端；第八NMOS管的漏端接第六PMOS管的漏端，栅端接第七NMOS管的栅端，源端接第四NMOS管的漏端；第九NMOS管的漏端接第十一NMOS管的源端，栅端接第十NMOS管的栅端，源端接GND；第十NMOS管的漏端接第十三NMOS管的源端，栅端接第九NMOS管的栅端，源端接GND；第十一NMOS管的漏端接电源VDD，栅端接第五NMOS管的漏端，源端接第九NMOS管的漏端；第十二NMOS管的漏端接第十一PMOS管的漏端，栅端接第十三NMOS管的栅端，源端接第九NMOS管的漏端；第十三NMOS管的漏端接第十一PMOS管的漏端，栅端接第二NMOS管的栅端，源端接第十NMOS管的漏端；第十四NMOS管的漏端接电源VDD，栅端接第八NMOS管的漏端，源端第十NMOS管的漏端；第一PMOS管的漏端接第五NMOS管的源端，栅端接第二PMOS管的栅端，源端接第二PMOS管的源端；第二PMOS管的漏端接第七NMOS管的漏端，栅端接第一PMOS管的栅端，源端接第一PMOS管的源端；第三PMOS管的漏端接第六NMOS管的漏端，栅端接第四PMOS管的栅端，源端接第四PMOS管的源端；第四PMOS管的漏端接第八NMOS管的源端，栅端接第三PMOS管的栅端，源端接第三PMOS管的源端；第五PMOS管的漏端接第五NMOS管的漏端，栅端接第六PMOS管的栅端，源端接第八PMOS管的漏端；第六PMOS管的漏端接第八NMOS管的漏端，栅端接第五PMOS管的栅端，源端接第九PMOS管的漏端；第七PMOS管的漏端接第一PMOS管的源端，栅端接外部偏置电压Vb1，源端接电源VDD；第八PMOS管的漏端接第五PMOS管的源端，栅端接第九PMOS管的栅端，源端接电源VDD；第九PMOS管的漏端接第六PMOS管的源端，栅端接第八PMOS管的栅端，源端接电源VDD；第十PMOS管的漏端接第八PMOS管的漏端，栅端接第十一PMOS管的栅端，源端接电源VDD；第十一PMOS管的漏端接第十二NMOS管的漏端，栅端接第十PMOS管的栅端，源端接电源VDD；第十二PMOS管的漏端接第九PMOS管的漏端，栅端接第十一PMOS管的栅端，源端接电源VDD；第一输出电容的第一端接第五NMOS管漏端，第二端接GND；第二输出电容的第一端接第八NOMS管漏端，第二端接GND。

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