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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低栅极电场的VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层包括沉底层、P阱层、N阱层以及扩散层，所述N阱层与金属源极欧姆短接；其中，所述扩散层包括扩散层一、扩散层二以及扩散层三；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、重掺杂P阱层一、重掺杂P阱层二以及重掺杂P阱层三。本发明通过将扩散层注入不同浓度的磷元素形成三个层级，并且JFET区域耗尽层主要形成在高浓度扩散层区域，这种多层级的设计即可以降低栅极电场击穿半导体外延层的风险，也能保证电荷沟道截止和导通的响应速度。
主权项：1.一种降低栅极电场的VDMOS器件，其特征在于，包括由若干个VDMOS元胞组成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏极1、半导体外延层、金属源极3以及栅极5；所述半导体外延层包括沉底层2、P阱层、N阱层10以及扩散层9，所述N阱层10与金属源极3欧姆短接；其中，所述扩散层9包括扩散层一901、扩散层二902以及扩散层三903；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一6、重掺杂P阱层一7、重掺杂P阱层二8以及重掺杂P阱层三11；相邻所述VDMOS元胞之间重掺杂P阱层一7、重掺杂P阱层三11同为一体；单个所述VDMOS元胞的衬底层2截面轮廓呈中间低洼形状，并且单个所述VDMOS元胞的衬底层2内部通过离子注入形成有两个相对应的重掺杂P阱层四12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种降低栅极电场的VDMOS器件
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