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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：一种采用多层催化金属结构实现低温原位图形化生长石墨烯的方法，属于半导体光电集成领域。在高催化性能的催化层表面覆盖一层对石墨烯生长无催化作用的金属薄层后，利用PECVD生长设备在指定低温生长温度下对催化层以及无催化作用的金属薄层进行合金退火处理，使得底层的催化金属互扩散到合金催化层表面，最后再通入碳源气体在对应指定低温生长温度下进行石墨烯的生长。催化层和无催化作用的金属薄层形成的合金如镍钨合金催化层能显著降低石墨烯的成核密度，增大单个成核点的石墨烯晶畴尺寸大小，从而改善石墨烯薄膜的单层性、降低其缺陷程度。在本发明中，整个石墨烯的生长流程均在低温下进行，与现行的CMOS工艺相兼容，同时避免了石墨烯薄膜因转移工艺引起的褶皱、沾污和破损。
主权项：1.一种采用多层催化金属结构实现低温原位图形化生长石墨烯的方法，其特征在于，在催化层表面覆盖一层对石墨烯生长无催化作用的金属薄层，利用PECVD生长设备在指定低温生长温度下对催化层以及无催化作用的金属薄层进行合金退火处理，此过程并不需要两种金属进行充分合金，只需使得底层的催化金属互扩散到合金催化层表面即可，最后再通入碳源甲烷在对应指定低温生长温度下进行石墨烯的生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种采用多层催化金属结构实现低温原位图形化生长石墨烯的方法
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