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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了3D存储装置的实施例和用于形成3D存储装置的方法。在一个示例中，3D存储装置包括存储阵列和键合到所述存储阵列的外围电路。所述存储阵列包括：第一多层堆叠结构；第一电容结构，穿过所述第一多层堆叠结构；以及阻挡结构，穿过所述第一多层堆叠结构。所述第一多层堆叠结构包括交替堆叠的电介质层和导电层。所述第一电容结构中的每个第一电容结构包括电介质层和电极层，其中，第一电容结构的所述电介质层设置在所述第一电容结构的所述电极层与所述第一多层堆叠结构的所述电介质层或所述导电层之间。所述阻挡结构将所述第一电容结构的一个子集与所述第一电容结构的另一个子集分开，并且所述阻挡结构包括电介质层和导电层。
主权项：1.一种用于形成三维3D存储装置的方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一多层堆叠结构，其中，所述第一多层堆叠结构包括交替堆叠的第一层和第二层，所述第二层包括电介质材料；使用相同的掩模形成穿过所述第一多层堆叠结构的第一孔和一个或多个缝隙，其中，所述一个或多个缝隙将所述第一孔的子集彼此分开；填充所述第一孔以形成第一电容结构，其中，所述第一电容结构中的每个第一电容结构包括电介质层和电极层，其中，第一电容结构的所述电介质层设置在所述第一电容结构的所述电极层与所述第一多层堆叠结构的所述第一层或所述第二层之间；以及填充所述一个或多个缝隙以形成一个或多个阻挡结构，其中，所述一个或多个阻挡结构中的每个阻挡结构包括电介质层和导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储装置
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