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申请/专利权人：安徽大学

摘要：本发明涉及数据处理技术领域，具体公开了一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法，包括以下步骤：通过采用有限元仿真工具对FBAR实物进行三维建模，设计一款高品质因数FBAR谐振器；提取FBAR谐振器基本参数，采用MBVD模型拟合，得到MBVD等效电路模型；利用集成电路仿真工具candence，将交叉耦合式结构的振荡器与MBVD等效电路结合并优化，从而降低VCO的相位噪声和功率；采用了三维有限元软件COMSOLMultiphysics设计出一种高品质因数的FBAR谐振器，将所述高品质因数的FBAR谐振器与CMOS集成电路进行交叉融合，优化结构设计；该方法旨在降低相位噪声和功耗，同时解决低频锁定的压控振荡器问题。

主权项：1.一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：建立FBAR谐振器的三维几何模型，在所述三维几何模型中定义材料参数，并添加物理场；设定所述三维几何模型的频率范围为[2.7GHz，2.78GHz]，每间隔1MHz进行一次频域仿真，根据每次频域仿真的结果获得阻抗曲线；步骤S2：获取所述三维几何模型的品质因数，根据所述阻抗曲线，不断调整材料参数，使得所述三维几何模型的品质因数达到最大值，并记此时的三维几何模型对应的FBAR谐振器实物为高品质FBAR谐振器；步骤S3：建立MBVD等效电路模型，并在COMSOL中添加一维绘图组，获取不同频率下阻抗的实部和虚部，并代入所述MBVD等效电路模型中获得FBAR等效电路；步骤S4：分别获取环形振荡器、交叉耦合振荡器和Pierce振荡器的相位噪声，对比各相位噪声的大小，选取出相位噪声的值最小的交叉耦合振荡器；步骤S5：根据所述高品质FBAR谐振器、FBAR等效电路和交叉耦合振荡器，建立FBAR交叉耦合振荡器，所述FBAR交叉耦合振荡器包括变容管、晶体管；并在所述FBAR交叉耦合振荡器内串联两个相同的电阻；记所述FBAR谐振器的频率f0＝2.75GHz时，获得此时的并联等效电感LP，并根据公式得到此时的变容管容值Cvaractor；步骤S6：调节所述FBAR交叉耦合振荡器的电压的范围为[0V，1.2V]，得到变容管的容值范围，并得到变容管的初始尺寸；获取所述FBAR交叉耦合振荡器中晶体管输出的共模电压Vm，并记工作电压为VDD；调节晶体管的尺寸，使得达到最小值。

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权利要求：

百度查询： 安徽大学 一种用于压控振荡器的高相位噪声消除方法