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申请/专利权人：华中师范大学
摘要：本发明公开了一种钨掺杂的钼酸钴材料及其制备方法和应用。该钨掺杂的钼酸钴材料包括导电基底和生长在导电基底上的钨掺杂的钼酸钴纳米片，呈现交错的片层结构，形成纳米片阵列，钨掺杂的钼酸钴的结构式为CoMo1‑xWxO4，其中x为0.03‑0.20。通过将钴盐、钼酸盐、尿素和氟化铵混合后，再加入钨酸盐，最后与导电基底混合进行水热反应制备得到。该钨掺杂的钼酸钴材料具有丰富的活性位点和稳定的材料结构，展示出了优异的中性水氧化催化活性和耐久性；且制备过程简单，无需烧结即可形成形貌均一且尺寸较大的纳米片结构，条件温和，降低了生产能耗，有利于工业化推广应用。
主权项：1.一种钨掺杂的钼酸钴材料，其特征在于，包括导电基底和生长在导电基底上的钨掺杂的钼酸钴纳米片，呈现交错的片层结构，形成纳米片阵列，钨掺杂的钼酸钴的结构式为CoMo1-xWxO4，其中x为0.03-0.20。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中师范大学 一种钨掺杂钼酸钴材料及其制备方法和应用
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