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申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种前照式图像传感器的实现方法，包括：在栅极形成之前，刻蚀半导体衬底形成第一深沟槽，及由所述第一深沟槽间隔的半导体岛状结构；于所述第一深沟槽中形成所述图像传感器像素单元之间的隔离结构。本发明可以不受到光电二极管深度的限制实现深层纵向溢出漏的电学连接。优选地，相较于常规的工艺流程，以省略光电二极管深层注入光刻掩膜和纵向溢出漏N阱注入光刻掩膜，从而降低工艺成本。本发明采用的工艺流程注入能量低，因此可以有效减少注入导致的掺杂分布，从而可以得到厚度薄、边界清晰的溢出势垒层，有效控制不同像素之间的偏差。
主权项：1.一种前照式图像传感器的实现方法，其特征在于，包括：在栅极形成之前，刻蚀半导体衬底形成第一深沟槽，及由所述第一深沟槽间隔的半导体岛状结构；于所述第一深沟槽中形成所述图像传感器像素单元之间的隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 一种前照式图像传感器实现方法及前照式图像传感器
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