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申请/专利权人：北京工业大学

摘要：本发明公开了一种透射电镜用定量化力电耦合芯片及其制备方法，属于透射电镜高分辨原位表征领域。芯片包括定量化力电耦合芯片基底和定量化力电耦合芯片器件层，其中器件层包括悬空器件层和支撑器件层，悬空器件层由通电兼样品拉伸搭载的四电极结构，通电兼样品压缩的二线法结构，测量位移的标距结构及力学缓冲结构组成，支撑器件层由悬臂支撑结构和压阻结构组成。本发明所提供的透射电镜用定量化力电耦合芯片搭载在透射电子显微镜用双轴倾转样品杆专利号：CN205691408U上，突破透射电镜狭小极靴空间尺寸及高真空环境限制，在保证原子尺度原位动态观测材料显微结构的前提下，进行力学和电学信号的精确控制及采集，对材料力学、电学性能进行定量化研究。

主权项：1.一种透射电镜用定量化力电耦合芯片，设置于透射电镜双轴倾转样品杆上，其特征在于，包括：定量化力电耦合芯片基底和定量化力电耦合芯片器件层，其中器件层分为悬空器件层和支撑器件层；所述悬空器件层中包括：四电极结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片悬空器件层，设置有单轴应力传导部件，单轴应力传导部件开设有用于放置拉伸透射样品的通孔；定量化力电耦合芯片悬空器件层表面排布有四根金属电极，单轴应力传导部件上开设的拉伸透射样品的通孔位于金属电极之间；二电级结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片悬空器件层，设置有单轴应力传导部件，单轴应力传导部件开设有两组用于放置压缩透射样品的通孔；定量化力电耦合芯片悬空器件层表面排布有两根金属电极，单轴应力传导部件上开设的压缩透射样品的通孔位于金属电极之间；标距结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片悬空器件层，器件层单轴应力传导部件开设有通孔，即标距结构；缓冲结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片悬空器件层，器件层单轴应力传导部件上开设有通孔，即缓冲结构；支撑器件层中包括：悬臂支撑结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片悬空支撑层具有不同组数的短悬臂支撑梁和长悬臂支撑梁，成对分布在定量化力电耦合芯片悬空器件层单轴应力传导部件两端；压阻结构，其功能结构包括：定量化力电耦合芯片支撑器件层，支撑器件层设置有多组对称的悬臂支撑梁，其中两根悬臂支撑梁的尾端设置有压敏传感器，用于获得定量化的力学数据。

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百度查询： 北京工业大学 一种透射电镜用定量化力电耦合芯片及其制备方法