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申请/专利权人：株式会社日立高新技术
摘要：设于进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件40具备：基材41；具有端部EP1的阳极氧化膜42a；和具有端部EP2的喷镀膜42b。基材41具有表面FS1、位于比表面FS1高的位置的表面FS2以及侧面SS1。内壁构件40的再生方法具有如下工序：a将从喷镀膜42b露出的阳极氧化膜42a用掩蔽件100覆盖；b通过对喷镀膜42b进行喷砂处理，来除去表面FS2上的喷镀膜42b，留下表面FS1上以及侧面SS1上的喷镀膜42b的一部分，以使得未被掩蔽件100覆盖的阳极氧化膜42a被喷镀膜42b覆盖；c在留下的喷镀膜42b上以及表面FS2上通过喷镀法形成新的喷镀膜42b；d将掩蔽件100拆下。
主权项：1.一种内壁构件的再生方法，是设于在等离子处理装置中进行等离子处理的处理室的内壁的内壁构件的再生方法，其特征在于，所述内壁构件具备：基材，其具有第1表面、位于比所述第1表面高的位置的第2表面、以及将所述第1表面和所述第2表面连起来的第1侧面；阳极氧化膜，其形成于所述第1表面上以及所述第1侧面上，且具有位于所述第1侧面上的第1端部；和第1喷镀膜，其形成于所述第1表面上、所述第1侧面上以及所述第2表面上以使得覆盖所述第1端部，所述第1喷镀膜具有位于形成于所述第1表面上的所述阳极氧化膜上的第2端部，所述内壁构件的再生方法具有如下工序：a将从所述第1喷镀膜露出的所述阳极氧化膜用掩蔽件覆盖；b在所述a工序后，通过对所述第1喷镀膜进行喷砂处理来除去所述第2表面上的所述第1喷镀膜，并且留下所述第1表面上以及所述第1侧面上的所述第1喷镀膜的一部分，以使得未被所述掩蔽件覆盖的所述阳极氧化膜被所述第1喷镀膜覆盖；c在所述b工序后，在留下的所述第1喷镀膜上以及所述第2表面上通过喷镀法形成第2喷镀膜；d在所述c工序后，将所述掩蔽件拆下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日立高新技术 内壁构件的再生方法
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