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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
摘要：本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。
主权项：1.一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、在开关器件对应的源极和漏极所在的回路上设置传感器；S2、获取开关器件的漏源电流的基准电流变化率；S3、传感器采集开关器件导通时的漏源电流的实时电流变化率；S4、对比漏源电流的实时电流变化率和漏源电流的基准电流变化率；S5、通过电流变化率的变化趋势确定开关器件内部缺陷的退化机制；若电流变化率减小则判断为开关器件氧化层缺陷密度增加引起退化，若电流变化率增大则判断为开关器件界面缺陷密度增加引起退化；通过电流变化率的变化趋势确定开关器件的退化机制，具体包括以下步骤：A1、若电流变化率减小，则判断为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；若电流变化率增大，则进行A2；A2、对比线性区的实时导通电阻与基准导通电阻，同时通过低频噪声测试开关器件的界面缺陷密度；A3、若实时导通电阻小于基准导通电阻，且界面缺陷密度增大，则判断为界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；若实时导通电阻大于基准导通电阻，且若界面缺陷密度无变化，则判断为开关器件封装退化；若实时导通电阻大于基准导通电阻，且界面缺陷密度增大，则判断为开关器件同时出现封装退化和界面缺陷密度增加引起的开关器件内部缺陷退化。
全文数据：
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