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申请/专利权人：中山大学

摘要：本发明涉及电光调制器技术领域，提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法，包括基底层，基底层顶部设置有薄膜铌酸锂平板层，薄膜铌酸锂平板层上设置有作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器，以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；两个马赫曾德尔干涉仪在薄膜铌酸锂平板层上对称设置。本发明中的电极和马赫曾德尔干涉仪结合形成马赫曾德尔调制器用于实现电光调制，实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制。

主权项：1.一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器，其特征在于，包括基底层（1），所述基底层（1）顶部设置有薄膜铌酸锂平板层（103），所述薄膜铌酸锂平板层（103）上设置有作为输入波导的第一端面耦合器（2）、偏振旋转分束器（3）、两个马赫曾德尔干涉仪（4）、偏振旋转合束器（5）、作为输出波导的第二端面耦合器（6），以及用于输入射频信号和偏置电压的电极；所述两个马赫曾德尔干涉仪（4）在薄膜铌酸锂平板层（103）上对称设置；其中，输入光通过第一端面耦合器（2）输入到偏振旋转分束器（3），所述偏振旋转分束器（3）将输入光转换为相同偏振的两束光分量后，分别通过两条波导传输至两个马赫曾德尔干涉仪（4）中；通过对所述电极输入射频信号，对马赫曾德尔干涉仪（4）中的光分量进行单偏振态调制，然后经过偏振旋转合束器（5）对光分量进行合束，通过两条波导传输至第二端面耦合器（6）进行耦合输出；所述马赫曾德尔干涉仪（4）包括作为光分束器的1×2多模干涉仪（401）和作为光合束器的2×2多模干涉仪（402），且所述1×2多模干涉仪（401）与2×2多模干涉仪（402）之间通过两条光波导（403）连接；所述2×2多模干涉仪（402）的第一输出端与所述偏振旋转合束器（5）的输入端连接，所述2×2多模干涉仪（402）的第二输出端连接有光栅耦合器（7）；所述基底层（1）包括由下至上依次设置的衬底（101）和埋氧层（102），所述薄膜铌酸锂平板层（103）设置在埋氧层（102）上方，所述薄膜铌酸锂平板层（103）上方覆盖有二氧化硅层（104），所述电极设置在二氧化硅层（104）上方。

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百度查询： 中山大学 一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法