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申请/专利权人：天马日本株式会社
摘要：一种离子传感设备包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、被配置为直接接触样品溶液的参考电极、第一离子敏感膜，以及第二离子敏感膜。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每个包括：半导体膜、底部栅极、位于底部栅极与半导体膜之间的底部栅极绝缘膜，以及顶部栅极绝缘膜。用于第一离子敏感膜和第二离子敏感膜的与样品溶液接触的表面材料是相同的。第一场效应晶体管与第一离子敏感膜的组合的灵敏度高于第二场效应晶体管与第二离子敏感膜的组合的灵敏度。
主权项：1.一种离子传感设备，包括：第一场效应晶体管；第二场效应晶体管；参考电极，其被配置为直接接触样品溶液；第一离子敏感膜；以及第二离子敏感膜，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管中的每个包括：半导体膜；底部栅极；底部栅极绝缘膜，其位于所述底部栅极与所述半导体膜之间；以及顶部栅极绝缘膜，其中，所述第一离子敏感膜被配置为在与所述样品溶液直接接触时，根据所述样品溶液的离子浓度，生成相对于所述第一场效应晶体管的半导体膜的顶部栅极电势，其中，所述第二离子敏感膜被配置为在与所述样品溶液直接接触时，根据所述样品溶液的离子浓度，生成相对于所述第二场效应晶体管的半导体膜的顶部栅极电势，其中，所述参考电极的电势被供应到所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管中的每个的所述半导体膜的源极或漏极，其中，用于所述第一离子敏感膜和第二离子敏感膜的与所述样品溶液接触的表面材料是相同的，其中，所述第一场效应晶体管与所述第一离子敏感膜的组合的灵敏度比所述第二场效应晶体管与所述第二离子敏感膜的组合的灵敏度更高，并且其中，关于所述第一场效应晶体管的所述顶部栅极绝缘膜的每单位面积的静电容量与所述底部栅极绝缘膜的每单位面积的静电容量的比值，比关于所述第二场效应晶体管的所述顶部栅极绝缘膜的每单位面积的静电容量与所述底部栅极绝缘膜的每单位面积的静电容量的比值更大。
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