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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
主权项：1.一种全电控自旋电子神经元器件，其特征在于，包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于所述底部反铁磁钉扎层上，其中，所述合成反铁磁层由下至上依次包括底部铁磁层、合成反铁磁耦合层和铁磁自由层；势垒层，形成于所述铁磁自由层上；其中，所述铁磁自由层的正对所述势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于所述势垒层上；其中，所述势垒层、所述铁磁参考层和所述铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于所述铁磁自由层的除正对所述势垒层区域外的裸露区域上，且所述第一反铁磁钉扎层和所述第二反铁磁钉扎层位于所述势垒层的两侧；其中，所述铁磁自由层的正对所述第一反铁磁钉扎层和所述第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于所述铁磁参考层上。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络
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