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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明属于半导体激光器领域，具体涉及一种光泵浦半导体激光器芯片，至少包括半导体芯片有源区，有源区仅设置一组量子阱，该组量子阱包含1个或连续多个量子阱。本发明具有以下优点：本发明由于相邻量子阱之间的间隔较小，因此载流子可在相邻量子阱之间自由穿行，各阱中载流子可趋于均匀分布；仅设置一组量子阱使得垒区的厚度不再限定为周期性量子阱结构中相邻周期量子阱之间的半波长，可以设置的足够大，让泵浦光经过时能够被充分吸收；采用较少的量子个数使得各量子阱中载流子能在更低的泵浦功率密度下实现粒子数反转，这样就可得到较低阈值功率密度的OPSL；设置前置反射结构在增益区形成FB腔提高量子阱处的激光场强，使得OPSL芯片增益显著提升。
主权项：1.一种光泵浦半导体激光器芯片，其特征在于：至少包括半导体芯片有源区11，所述半导体芯片有源区11仅设置一组量子阱111，该组量子阱包含1个或连续多个量子阱；所述半导体芯片有源区11的厚度应满足泵浦光经过半导体芯片有源区11后能被充分吸收，同时半导体芯片有源区11的厚度应小于载流子的扩散半径；所述半导体芯片有源区11连续设置的量子阱个数小于7个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种光泵浦半导体激光器芯片
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