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申请/专利权人：特忆智能科技
摘要：本公开披露了用于减小串联电阻的技术。一种示例性方法包括：在临时基片上形成第一层；在第一层上形成第二层；蚀刻第一层和第二层以形成沟槽；经由沟槽电镀上电极，其中上电极部分形成于第二层的上表面；去除第一层和第二层；在临时基片和上电极上形成可固化层；从可固化层和上电极上去除临时基片；在可固化层和上电极上形成交叉点器件；在交叉点器件上形成下电极；在下电极上形成柔性基片。
主权项：1.一种装置，包括：柔性基片；在所述柔性基片上形成的下电极；多个上电极；可固化层，其中所述多个上电极嵌入所述可固化层中；以及连接所述多个上电极的多个交叉点器件，其中所述多个上电极中的每一个均包括顶部和尾部，顶部宽于尾部；其中所述多个交叉点器件形成在所述下电极上；所述多个交叉点器件中的每一个均包括忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 特忆智能科技 串联电阻更小的大规模交叉开关矩阵
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