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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明公开了一种Cr3+掺杂的镓锗酸盐基近红外长余辉发光材料及制备与应用方法。所述近红外发光材料的化学通式为Mg8.9Ga14.2‑x‑uMuGe4.9O40‑y‑zF2yCl2z:xCr3+，其中，M为Sc、In中的一种或两种；0＜x≤1；0＜y≤0.05；0＜z≤0.05；0≤u≤1.2；其晶体结构属于三斜晶系，空间群为P‑1。本发明材料在蓝光和红光激发下可呈现宽带近红外发光，发射波长范围为600‑1100nm；在紫外光辐照后可呈现近红外长余辉发光，余辉时间大于55小时。本发明材料的制备工艺简单，成本低，易于大规模技术推广。本发明材料在夜视、食品检测、生物成像、标记示踪、信息存储、防伪加密领域具有重要的应用价值。
主权项：1.一种Cr3+掺杂的镓锗酸盐基近红外长余辉发光材料，其特征在于，所述近红外发光材料的化学通式为Mg8.9Ga14.2-x-uMuGe4.9O40-y-zF2yCl2z:xCr3+，其中，M为Sc、In中的任意一种或两种；0＜x≤1；0＜y≤0.05；0＜z≤0.05；0≤u≤1.2；其晶体结构属于三斜晶系，空间群为P-1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 一种Cr3+掺杂的镓锗酸盐基近红外长余辉发光材料及制备与应用方法
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