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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：本发明公开一种铁电存储器，其包括半导体衬底、设置在半导体衬底上方的第一互连结构，其中第一互连结构包括第一电容导电柱、第一位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层、层叠在第一介质层上的第二介质层、形成于第二介质层深孔中的电容器以及板线和位线。其中电容器包括第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层，第一电极层沉积于第二介质层的深孔内，与第一电容导电柱电连接，高K铁电氧化物层沉积于第一电极层表面，第二电极层沉积于高K铁电氧化物层的表面。板线设置于第二电极层表面，与其电连接的。位线与板线位于同一高度，且通过设置于第二介质层中的第二位线导电柱连接至第一位线导电柱。
主权项：1.一种铁电存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；设置在半导体衬底上方的第一互连结构，所述第一互连结构包括第一电容导电柱、第一位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；层叠在第一介质层上的第二介质层；电容器，其包括第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层，其中所述第一电极层沉积于所述第二介质层的深孔内，与所述第一电容导电柱电连接，所述高K铁电氧化物层沉积于所述第一电极层表面，以及所述第二电极层沉积于所述高K铁电氧化物层的表面；板线，其设置于所述第二电极层的表面，与所述第二电极层电连接；以及位线，其与所述板线位于同一高度，且通过第二位线导电柱连接到第一位线导电柱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 一种铁电存储器及其制造方法
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