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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种光学邻近修正方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取初始掩膜版；对所述初始掩膜版进行OPC处理，得到目标掩膜版，以利用所述目标掩膜版进行半导体结构的制备，其中，所述OPC处理包括以下至少一种：将初始掩膜版对应的掩膜类型由PCAR转换为NCAR；利用预设模型误差的光刻胶模型对所述初始掩膜版进行修正，所述预设模型误差为±E1，其中，E1满足：0＜E1＜4nm；在所述初始掩膜版上设置预设宽度的亚分辨率辅助图形，所述预设宽度W1满足：16nm＜W1。根据本公开实施例，能够提使用目标掩膜版制造的半导体结构的LCDU。
主权项：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，所述方法包括：获取初始掩膜版；对所述初始掩膜版进行光学邻近修正OPC处理，得到目标掩膜版，以利用所述目标掩膜版进行半导体结构的制备，其中，所述OPC处理包括以下至少一种：将初始掩膜版对应的掩膜类型由正性化学放大光刻胶PCAR转换为负性化学放大光刻胶NCAR；利用预设模型误差的光刻胶模型对所述初始掩膜版进行修正，所述预设模型误差为±E1，其中，E1满足：0＜E1＜4nm；在所述初始掩膜版上设置预设宽度的亚分辨率辅助图形，所述预设宽度W1满足：16nm＜W1。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 光学邻近修正方法
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