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一种基于SiO2@TiO2活性基质与PDA猝灭的PEC免疫传感器检测蓖麻毒素方法 

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申请/专利权人:中国人民解放军军事科学院防化研究院

摘要:本发明提出一种基于SiO2@TiO2活性基质与PDA猝灭的PEC免疫传感器检测蓖麻毒素方法,以SiO2@TiO2球作为优良光电活性基质,同时以PDA作为高效信号猝灭剂,将SiO2@TiO2的优良光活性与PDA的空间位阻大和光吸收性能强的优势相结合,建立一种基于SiO2@TiO2活性基质与PDA猝灭的夹心型PEC免疫传感器检测蓖麻毒素方法,能够有效实现对蓖麻毒素样本的快速灵敏检测,检测限为26.74pgmLSN=3,具有灵敏度高、操作简便、重现性好、抗干扰性强等优点。

主权项:1.一种基于SiO2@TiO2活性基质与PDA猝灭的PEC免疫传感器检测蓖麻毒素方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:制备SiO2@TiO2并进行氨基化处理,得到SiO2@TiO2活性基质SiO2@TiO2-NH2;将SiO2@TiO2-NH2加到ITO电极表面,干燥后得到ITOSiO2@TiO2-NH2电极;用戊二醛交联法将蓖麻毒素抗体Ab1修饰到ITOSiO2@TiO2-NH2电极表面,得到ITOSiO2@TiO2-NH2GAAb1电极,加BSA封闭非特异性结合位点后得到功能化ITO电极ITOSiO2@TiO2-NH2GAAb1BSA;制备PDA纳米球,并将蓖麻毒素单克隆抗体Ab2偶联至PDA表面,制备得到PDA-Ab2信号放大探针;将蓖麻毒素依次与功能化ITO电极上的蓖麻毒素抗体Ab1和PDA-Ab2信号放大探针结合后,在电极表面形成Ab1-Ricin-PDA-Ab2夹心复合物,通过PDA纳米球的光电猝灭使SiO2@TiO2活性基质的光电流降低,确定待测蓖麻毒素的浓度,实现对样品中蓖麻毒素的特异检测。

全文数据:

权利要求:

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