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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供一种用于PVT法生长大尺寸单晶的装置，其包括坩埚、保温结构、感应加热单元和红外测温单元；保温结构位于坩埚的顶部且包括固定保温结构和可移动保温结构；其中固定保温结构固定于坩埚顶部的中心位置；可移动保温结构被配置成能够沿着坩埚的轴向方向来回移动和旋转，并且在移动至与坩埚的顶部接触时，可移动保温结构能够与固定保温结构紧密贴合。本发明还提供一种用于PVT法生长大尺寸单晶的方法，其使用本发明的装置。本发明的装置和方法可以实现在采用PVT法感应加热而生长单晶和生长结束后降温的过程中对籽晶的径向温场进行动态调整，使其始终保持优异的梯度。
主权项：1.一种用于PVT法生长大尺寸单晶的装置，其包括坩埚、保温结构、感应加热单元和红外测温单元；所述保温结构位于所述坩埚的顶部且包括固定保温结构和可移动保温结构；其中所述固定保温结构固定于所述坩埚顶部的中心位置；所述可移动保温结构被配置成能够沿着所述坩埚的轴向方向来回移动和旋转，并且在移动至与所述坩埚的顶部接触时，所述可移动保温结构能够与所述固定保温结构紧密贴合；所述红外测温单元包括测温点位于坩埚顶部中心的坩埚顶部中心测温仪、测温点位于坩埚顶部边缘的坩埚顶部边缘测温仪和测温点位于坩埚底部中心的坩埚底部中心测温仪；所述感应加热单元被配置为向所述坩埚提供热量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 用于PVT法生长大尺寸单晶的装置和方法
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