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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请提供一种半导体光刻模拟方法、装置和电子设备，获取目标图形，根据目标图形设计掩模图形，而后模拟曝光信息透过掩模图形作用于晶圆的光刻胶层且经过光刻胶层后作用于晶圆的底层时底层的反射，还模拟光刻胶层在曝光信息以及底层的反射二者的作用下形成的模拟图形，模拟图形与目标图形不一致时，调整掩模图形，直至模拟图形与目标图形一致。半导体光刻模拟方法通过模拟在不加抗反射层时底层的光散射效应对光刻胶层的影响，则对掩模图形进行补偿时能够补偿由于抗反射层缺失导致的底层光散射效应的影响，提高在光刻胶层上形成的图形的均匀度，降低生产工艺的复杂度，提高生产效率。
主权项：1.一种半导体光刻模拟方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标图形，根据所述目标图形设计掩模图形；模拟曝光信息透过所述掩模图形作用于晶圆的光刻胶层，且经过所述光刻胶层后作用于所述晶圆的底层时所述底层的反射，以及所述光刻胶层在所述曝光信息以及所述底层的反射的作用下形成的模拟图形；所述模拟图形与所述目标图形不一致时，调整所述掩模图形，直至所述模拟图形与所述目标图形一致；其中，所述晶圆包括堆叠的所述底层和所述光刻胶层，所述底层包括所述光刻胶层下的所有层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体光刻模拟方法、装置和电子设备
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