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功率半导体器件模块中的电流共享失配和开关振荡减少 

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申请/专利权人:半导体元件工业有限责任公司

摘要:在一个总体方面中,一种半桥功率模块800包括其上设置有多个图案化金属层517a,530a,540的衬底505。该模块还包括设置在该金属层上的相应多个高侧晶体管和低侧晶体管510,520。多个导电夹532,542分别将高侧晶体管和低侧晶体管与金属层电耦合。该半桥模块的DC+端子815a、DC‑端子825和输出端子835也分别与多个图案化金属层电耦合。

主权项:1.一种半桥电路功率模块800,所述半桥电路功率模块包括:衬底505,所述衬底包括:第一图案化金属层517a,所述第一图案化金属层设置在所述衬底的表面上;第二图案化金属层530a,所述第二图案化金属层设置在所述衬底的所述表面上;和第三图案化金属层540,所述第三图案化金属层设置在所述衬底的所述表面上;第一高侧晶体管510,所述第一高侧晶体管设置在所述第一图案化金属层上;第二高侧晶体管510,所述第二高侧晶体管设置在所述第一图案化金属层上;第一导电夹532,所述第一导电夹将所述第一高侧晶体管与所述第二图案化金属层电耦合;第二导电夹532,所述第二导电夹将所述第二高侧晶体管与所述第二图案化金属层电耦合;第一低侧晶体管520,所述第一低侧晶体管设置在所述第二图案化金属层上;第二低侧晶体管520,所述第二低侧晶体管设置在所述第二图案化金属层上;第三导电夹542,所述第三导电夹将所述第一低侧晶体管与所述第三图案化金属层电耦合;和第四导电夹542,所述第四导电夹将所述第二低侧晶体管与所述第三图案化金属层电耦合。

全文数据:

权利要求:

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