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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明涉及一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。所述光电探测器从衬底到表面分别为FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnOITO窗口层、金属电极。双面光电探测器结构为玻璃FTOSb2Se3Sb2S3CdSZnOITOAg其中硫化锑和硒化锑薄膜采用快速热蒸发法制备，引入硒化锑作为空穴传输层，有利于提高载流子分离的效率，实现良好的能带匹配。本发明制备的硫化锑薄膜双面光电探测器，可实现自供电并探测双面光照信号，识别区分光源波段与光强，可应用于定位探测。该探测器制备成本低廉、绿色环保，应用前景大。
主权项：1.一种硫化锑双面光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnOITO窗口层、金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法
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