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申请/专利权人：山东省科学院新材料研究所

摘要：本发明公开了基于动力学硫化的低维二硫化钼纳米片制备方法，采用化学气相沉积法在CVD管式炉中进行，包括以下步骤：取一定量海绵状MoO3体材料放置在刚玉舟置于管式炉中心位置，同时将升华硫粉放置在两个刚玉舟中，一个置于管式炉边缘处，另一个放在管式炉外侧用独立加热带控制温度；管式炉以10℃min升温到750℃，加热带也升温到150℃，750℃下保温1h，反应结束后停止加热带加热，自然冷却到室温，得到低维MoS2样品。本发明基于动力学硫化的方式在CVD系统中合成的MoS2具有丰富垂直边缘，活性位点丰富，有利于SERS增强；制备方法简单，成本低廉，可生产大面积的MoS2。

主权项：1.基于动力学硫化的低维二硫化钼纳米片制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在CVD管式炉中基于动力学硫化MoO3进行二硫化钼的生长，包括以下具体步骤：S1：采用水热法制备MoO3前驱体：S11：将20mmol的二水合钼酸钠Na2MoO4·2H2O溶解在10ml去离子水中，充分搅拌至溶解，得到2M的钼酸钠溶液；S12：将6mol的高氯酸用10ml去离子水稀释，然后缓慢滴入钼酸钠溶液中，并持续搅拌以确保混合均匀；S13：将混合溶液转移至60mL聚四氟乙烯内衬水热釜中，以确保良好的密封性；S14：将水热釜置于鼓风干燥箱中，在140℃下反应24小时；S15：反应结束后，自然冷却水热釜至室温，沉淀物取出后，用去离子水和无水乙醇多次洗涤以去除杂质，将洗涤后的沉淀物置于干燥箱中干燥，得到MoO3纳米带前驱体；S16：将一定量的该前驱体置于20ml离心管中，用适量去离子水溶解，并通过搅拌使其均匀分散，前驱体溶液在液氮中快速冷冻，然后置于冷冻干燥机中进行冷冻干燥处理，最终得到蓬松海绵状的MoO3前驱体；S2：取一定量海绵状MoO3体材料作为前驱体放置在刚玉舟中并置于CVD管式炉中心位置，同时将升华硫粉放置在两个刚玉舟中，一个置于CVD管式炉边缘处，另一个放在CVD管式炉外侧；S3：通入足够量的惰性气体充分吹扫以清洗系统；S4：通入氩气，CVD管式炉升温到750℃，加热带升温到150℃，750℃下保温1h，反应结束后停止加热带加热，自然冷却到室温，得到低维垂直排列的MoS2样品。

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