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申请/专利权人：成都天成电科科技有限公司

摘要：本申请涉及一种90‑96GHzFMCW雷达套片，包括：96GHzTR前端芯片和低频率FMCWSoC芯片。96GHzTR前端芯片通过硅基工艺实现或化合物工艺实现，低频率FMCWSoC芯片通过硅基工艺实现。本申请中将现有的90‑96GHzFMCW雷达套片拆分为两部分，一部分为低频率FMCWSoC芯片，其通过硅基工艺实现；另一部分为高频的96GHzTR前端芯片，其可以通过硅基工艺实现或化合物工艺实现，优选的，本申请中通过化合物工艺实现。本申请中的90‑96GHzFMCW雷达套片通过如上结构，可以在实现现有雷达芯片原本功能的前提下，将高频的96GHzTR前端芯片部分通过化合物工艺实现，由于化合物工艺本身的特性，可以使成品的90‑96GHzFMCW雷达套片实现更大的输出功率和更低的接收噪声。

主权项：1.一种90-96GHzFMCW雷达套片，其特征在于，包括：96GHzTR前端芯片和低频率FMCWSoC芯片；所述96GHzTR前端芯片通过硅基工艺实现或化合物工艺实现，所述低频率FMCWSoC芯片通过硅基工艺实现；所述96GHzTR前端芯片包括：LO端口、RX端口、TX端口、IF端口、倍频器和基波混频器；所述LO端口连接所述低频率FMCWSoC芯片的发射输出端口和倍频器，接入所述低频率FMCWSoC芯片发射的低频率信号，并将所述低频率信号发送到所述倍频器；所述倍频器连接所述TX端口，用于将所述低频率信号倍频到96GHz作为第一倍频信号，将第一倍频信号通过所述TX端口输出；所述倍频器还连接所述基波混频器，用于将所述低频率信号倍频到72GHz或96GHz作为第二倍频信号，将第二倍频信号发送到所述基波混频器；所述RX端口连接所述基波混频器，接入96GHz信号，并将接入的96GHz信号发送到所述基波混频器；所述基波混频器连接所述IF端口和所述RX端口，用于将第二倍频信号作为本振信号，与从所述RX端口接入的96GHz信号进行混频后得到24GHz信号，将混频得到的24GHz信号发送到所述IF端口；所述IF端口连接所述低频率FMCWSoC芯片的接收输入端口，或信号处理模块；其中，若所述IF端口连接所述低频率FMCWSoC芯片的接收输入端口，则所述倍频器包括第一倍频器和第二倍频器，所述第一倍频器连接所述TX端口，用于将所述低频率信号倍频到96GHz作为第一倍频信号，将第一倍频信号通过所述TX端口输出；所述第二倍频器连接所述基波混频器，用于将所述低频率信号倍频到72GHz作为第二倍频信号，将第二倍频信号发送到所述基波混频器；所述第一倍频器为四倍频器，所述第二倍频器为三倍频器；若所述IF端口连接信号处理模块，则所述倍频器为四倍频器；所述倍频器将所述低频率信号倍频到96GHz作为第二倍频信号。

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