买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：山东大学

摘要：本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法。本发明通过温场模拟设计了与坩埚尺寸相匹配的钨锥，所述钨锥由下方的圆柱部件和上方的圆台部件构成，所述圆柱部件底部半径与所述圆台部件的底部半径相同；所述钨锥高度为坩埚高度的25‑35，所述圆柱部件高度为坩埚高度的15‑14。将钨锥设置在坩埚底部中心位置，并将AlN原料填充于钨锥与坩埚之间，避免坩埚底部中心温度相对较低的区域与AlN粉料相接触，防止底部原料在坩埚底部中心位置沉积，使得坩埚便于清理，减少了原料浪费；本发明通过上述方法使得AlN原料放置于坩埚内部的高温区内，提高了原料的利用率。

主权项：1.一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法，其特征在于，具体为：向坩埚（1）中加入AlN原料（4）之前，先在坩埚（1）底部中心设置钨锥（7），利用钨锥（7）将坩埚（1）底部划分为两部分，一部分为以坩埚（1）底部中心为圆心的圆形空白区（8），另一部分为坩埚（1）底部除所述圆形空白区（8）外的填料区（9）；所述钨锥（7）由下方的圆柱部件（72）和上方的圆台部件（71）构成，所述圆柱部件（72）底部半径与所述圆台部件（71）的底部半径相同；所述钨锥（7）高度为坩埚（1）高度的25-35，所述圆柱部件（72）高度为坩埚（1）高度的15-14；设置钨锥（7）之后，在所述填料区（9）与钨锥（7）、坩埚（1）形成的容纳空间内填充AlN原料（4），AlN原料（4）高度小于或等于钨锥（7）高度；所述钨锥（7）圆柱部件（72）底部半径的确定方法包括以下步骤：S1.将坩埚（1）置于AlN单晶生长炉中，位置设定为在炉体内利于晶体成核的低埚位，利用热场模拟软件comsol对炉体在稳态条件下进行温场模拟计算，温场模拟的温度范围为2000-2300℃，压力控制在1atm以内，得到坩埚（1）内的温场结构图；所述坩埚（1）内的温场结构图为坩埚（1）沿轴线的纵剖面内的温度分布图，选取所述纵剖面与坩埚（1）底部的交线为底线，选取所述纵剖面的中轴线为高线；S2.在步骤S1所述坩埚（1）内的温场结构图中选取温度为T的等温线作为分隔线，同时在所述坩埚（1）内的温场结构图中，于坩埚（1）高度的15处沿与底线平行的方向作基准线，所述分隔线与所述基准线的交点记作点A，经点A沿与所述高线平行的方向作垂线，所述垂线与所述底线的交点记作点B；所述T为2555-2565K；S3.在所述坩埚（1）内的温场结构图中，测量得到所述点B到所述高线的距离，记为n，再测量所述图中坩埚（1）底部半径，记为m，nm与所述坩埚（1）底部半径的乘积即为钨锥（7）圆柱部件（72）底部半径；所述钨锥（7）中空；所述圆台部件（71）的顶部半径为底部半径的13-12。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法