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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种基于复合介质栅光电导的光敏探测器及其工作方法。其光敏探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容、复合介质栅MOSFET部分和光电子调制结构，光电子调制结构包括衬底电极、光电子调制P+掺杂区和光电子调制电极；衬底电极设置在P型半导体衬底的底部；在复合介质栅MOSFET部分的衬底表面设有N型源极和漏极，光电子调制P+掺杂区设置于N型源极和漏极的外围；光电子调制电极位于光电子调制P+掺杂区的表面。本发明可通过控制P型衬底底部和光电子调制P+掺杂区之间的电场实现MOS电容感光时对体区内光电子的收集以及抑制相邻探测器之间的电学串扰，进而有效提高光敏探测器的量子效率以及MTF。
主权项：1.基于复合介质栅光电导的光敏探测器，包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，其特征在于，所述光敏探测器还包括光电子调制结构，光电子调制结构包括衬底电极、光电子调制P+掺杂区和光电子调制电极；所述衬底电极设置在所述P型半导体衬底的底部；在复合介质栅MOSFET部分的衬底表面设有N型源极和漏极，所述光电子调制P+掺杂区设置于所述N型源极和漏极的外围；所述光电子调制电极位于所述光电子调制P+掺杂区的表面；所述复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分之间设有浅沟槽隔离区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 基于复合介质栅光电导的光敏探测器及其工作方法
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