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申请/专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种CMOS工艺实现的LVPECL信号驱动电路。本发明包括多级预驱动电路和输出驱动电路，多级预驱动电路接入输出驱动电路，多级预驱动电路为2级、3级、4级或5级预驱动电路。本发明能够产生符合LVPECL幅度要求的输出，可解决多类型不同驱动电路的工艺兼容性和延续性问题。
主权项：1.一种CMOS工艺实现的LVPECL信号驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括多级预驱动电路和输出驱动电路，所述多级预驱动电路接入输出驱动电路，所述多级预驱动电路为2级预驱动电路，包括电源VDD，第一级预驱动电路和第二级预驱动电路，所述第一级预驱动电路包括NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6、电阻R3和电阻R4，所述电源VDD分别通过电阻R3和电阻R4接NMOS管N4和NMOS管N5的漏端，所述NMOS管N4和NMOS管N5的源端接NMOS管N6的漏端，所述NMOS管N6的源端接地，所述第二级预驱动电路包括NMOS管N7、NMOS管N8、NMOS管N9、电阻R5和电阻R6，所述电源VDD分别通过电阻R5和电阻R6接NMOS管N7和NMOS管N8的漏端，所述NMOS管N7和NMOS管N8的源端接NMOS管N9的漏端，所述NMOS管N9的源端接地，所述NMOS管N4的漏端接NMOS管N8的栅极，所述NMOS管N5的漏端接NMOS管N7的栅极，所述NMOS管N7和NMOS管N8的漏端接输出驱动电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安翔腾微电子科技有限公司 一种CMOS工艺实现的LVPECL信号驱动电路
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