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申请/专利权人：苏州大学
摘要：本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器，其中，方法包括1以硅片作为材料基底；2对所述硅片进行预处理；3对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；4对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；5在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高，能在极短时间内完成数据的采集，基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。
主权项：1.一种无声传译传感器件制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1以硅片作为材料基底；2对所述硅片进行预处理；3对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；所述步骤3中对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列，方法包括：将PMMAAAO模板剪裁成与所述硅片上表面一样的大小并放置于硅片之上；采用丙酮浸泡除去PMMAAAO模板中的PMMA支撑层，5-10min后将其于丙酮溶液中捞出置于通风处下，待丙酮蒸发得到与AAO模板紧密贴合的硅片；使用真空热蒸镀法在AAO模板上沉积一层预设厚度的纳米银颗粒层，使纳米银颗粒灌入AAO模板的孔里，对AAO模板镀银之后，揭去AAO模板，得到镀银硅片；并使用热蒸镀法对所述镀银硅片的待刻蚀面镀银层进行刻蚀，刻蚀得到具有硅纳米阵列的硅片；所述硅纳米阵列为使用AAO模板调节尺寸孔间距200nm、孔径200nm的垂直硅纳米短线阵列；4对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；5在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入正、负电极中，完成无声传译传感器件制备；所述步骤5在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备，方法包括：材料电极组装时先在小片的上表面和下表面均绘制银栅格电极，再使用导电银浆附着固定铜制导线，完成无声传译传感器件制备。
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权利要求：
百度查询： 苏州大学 一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器
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