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申请/专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料生产技术领域，公开了一种异形PBN和石英组合坩埚，包括石英坩埚、PBN坩埚和石英帽，所述石英坩埚包括包覆腔和石英坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚包括原料腔和PBN坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚和石英帽均设置于石英坩埚的内腔中，所述石英帽设置在靠近石英坩埚的开口一端，且所述石英帽的开口朝向PBN坩埚；所述石英坩埚籽晶腔包括第一籽晶腔段和第二籽晶腔段，所述第二籽晶腔段与PBN坩埚籽晶腔的外壁紧密贴合，所述石英坩埚的第一籽晶腔段和包覆腔与PBN坩埚之间设置有间隔区。本发明能够使得半导体材料获得平坦的生长界面且有效改善晶体热应力集中现象，获得大尺寸、低位错密度高、均匀性好的晶体。
主权项：1.一种异形PBN和石英组合坩埚，包括石英坩埚、PBN坩埚和石英帽，所述石英坩埚包括包覆腔和石英坩埚籽晶腔，所述PBN坩埚包括原料腔和PBN坩埚籽晶腔，其特征在于：所述PBN坩埚和石英帽均设置于石英坩埚的内腔中，所述石英帽设置在靠近石英坩埚的开口一端，且所述石英帽的开口朝向PBN坩埚；所述石英坩埚籽晶腔包括第一籽晶腔段和第二籽晶腔段，所述第二籽晶腔段与PBN坩埚籽晶腔的外壁紧密贴合，所述石英坩埚的第一籽晶腔段和包覆腔与PBN坩埚之间设置有间隔区；所述石英坩埚的内壁上设置有第一台阶，所述PBN坩埚的内壁上设置有第二台阶，所述第二台阶的外壁与第一台阶的内壁紧密贴合；所述石英坩埚的包覆腔包括第一石英坩埚段和第二石英坩埚段，所述第一石英坩埚段、第二石英坩埚段、第一籽晶腔段和第二籽晶腔段依次连接且直径依次减小，所述第一台阶设置在第一石英坩埚段与第二石英坩埚段的连接处；所述PBN坩埚还包括第一PBN坩埚段，所述第一PBN坩埚段、原料腔和PBN坩埚籽晶腔依次连接且直径依次减小，所述第二台阶设置在第一PBN坩埚段与原料腔的连接处。
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权利要求：
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