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申请/专利权人：无锡纳斯凯半导体科技有限公司
摘要：本发明的目的在于公开一种使用FIB进行TEM样品的反向减薄的工具及方法，所述工具为由记忆合金制备的载薄片，所述载薄片预设平面的形状记忆，所述载薄片上预先弯折TEM样品贴附手指为180度、90度和7度；与现有技术相比，通过翻转反向减薄有效解决了正向样品减薄工艺的窗帘效应，使用了记忆合金的记忆效应简化了翻转工艺并且有效避免了传统载薄片的变形损坏，提高了工艺效率并避免了无效损耗，在聚焦离子束显微镜在半导体FA应用方面具有广泛的应用场景，实现本发明的目的。
主权项：1.一种使用FIB进行TEM样品的反向减薄的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、以记忆合金制备标准的载薄片，载薄片预设平面的形状记忆，载薄片上预先弯折TEM样品贴附手指为180度、90度和7度；S2、标准TEM毛坯样品以标准工艺提取，并正常粘贴在翻转180度（翻转减薄）或者90度（平面样品）的手指处；S3、通过加热载薄片，使得记忆合金恢复记忆形状；S4、TEM毛坯样品随手指恢复到竖直等待加工位置；S5、以标准工艺完成样品，减薄至20-30nm。
全文数据：
权利要求：
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