买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:中国科学院武汉岩土力学研究所
摘要:本发明公开了一种柱状岩心充填型断层滑移模拟样品制备方法以及试验方法,包括:S1、选取目标断层基岩岩样,制作圆柱状样胚,按照基准断层倾角切割;S2、三维形态扫描获取断面表面形貌数据;S3、制作断层样胚夹具,采用三轴雕刻机,根据获取的形貌数据雕刻样胚断面;S4、清洗断层断面,浸泡,擦干;S5、将样胚上下两盘固定在充填模具内,从浇筑槽孔处灌入充填材料,放置侯凝;S6、样品脱模,清理、打磨,即制得样品;S7、样品断面钻取注入孔至断层处;S8、将样品装载至拟三轴试验机上,施加样品轴压及围压,稳定后定流或定压注入流体;S9、计算断面法切向应力及摩擦系数。本发明对断层滑移试验及储气库断层动态密封性研究具有积极的指导意义。
主权项:1.一种柱状岩心充填型断层滑移模拟样品制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、选取试验目标断层上下盘基岩岩石样品,钻取制作圆柱状样胚,样胚直径与高度为1:2,样胚直径不小于50mm,并按照基准断层倾角从样胚中心点处切割,保证切割后两半样胚基本一致,断层倾角不大于60°;S2、挑选目标断层断面,进行断面三维形态扫描,获取断面表面形貌数据;根据圆柱样胚的椭圆形断面尺寸,截取断面区域,并通过调整坐标轴方向,制备正反断面数据文件;S3、根据断面倾角及断层样品尺寸,制作断层样胚夹具;采用三轴雕刻机,根据S2中获取的断面表面形貌数据,雕刻样胚断面;S4、清洗断层断面,并浸泡样胚至少24小时,擦干样胚表面及断面;S5、将样胚上下两盘放置在充填模具内,预留好充填断层厚度空间,并用胶将其黏贴固定在模具壁面上;配置断层充填浇筑材料,并将装有样胚的模具放置在振动台上,开启振动台,同时从预留的浇筑槽孔处灌入充填材料,待充分充填后,放置侯凝;S6、样品脱模后,对其进行清理和打磨,去除多余填充物,即制得所述柱状岩心充填型断层滑移模拟样品。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院武汉岩土力学研究所 柱状岩心充填型断层滑移模拟样品制备方法以及试验方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。