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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及一种存储器系统堆叠中的位线接触方案。一种存储器架构可包含与位线触点耦合的位线及与相关联于支持所述位线的操作的电路系统耦合的支柱。混合插塞可集成到所述支柱中以将所述位线触点与所述支柱耦合，从而在所述位线与所述电路系统之间形成导电路径。所述混合插塞可凹入所述支柱内，使得所述混合插塞不延伸穿过所述存储器架构而超出所述支柱。所述混合插塞可包含一或多种相对低电容的导电材料，例如钛合金材料例如，钛、氮化钛、钨合金材料例如，钨、氮化钨或其任何组合以及其它材料。
主权项：1.一种设备，其包括：多晶材料支柱，其经垂直安置穿过包括导电层级及电介质层级的材料堆叠，其中所述导电层级包括用于存储器阵列的字线；凹形衬垫，其包括第一导电材料并安置在所述支柱内；第二导电材料，其至少部分填充由所述凹形衬垫形成的空隙；及导电支柱，其与所述第二导电材料接触，其中所述导电支柱包括用于所述存储器阵列的位线的位线触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 存储器系统堆叠中的位线接触方案
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