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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明属于应变传感器技术领域，具体涉及一种高温薄膜型应变传感器，包括基底和应变敏感栅，所述应变敏感栅包括氧化铟锡层和铂层，所述氧化铟锡层沉积在所述基底上，所述铂层沉积在所述氧化铟锡层上，所述氧化铟锡层中含有氧化铟的质量分数为50％，氧化锡的质量分数为50％。本发明提供的一种高温薄膜应变传感器可以在常温到500℃下使用，在500℃高温条件下有极高的灵敏度。不同于常规金属箔式应变片几微米的厚度，高温薄膜应变栅厚度为500nm，能较好地传递被测物体在高温下的应变。
主权项：1.一种高温薄膜型应变传感器，其特征在于，包括基底2，所述基底2上沉积有应变敏感栅3，所述应变敏感栅3的材料是由氧化铟锡层和铂层构成的复合薄膜，所述氧化铟锡层沉积在所述基底2上，所述铂层沉积在所述氧化铟锡层上；所述氧化铟锡层中，氧化铟的质量分数为50％，氧化锡的质量分数为50％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种高温薄膜型应变传感器
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