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申请/专利权人：元旭半导体科技(无锡)有限公司

摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种MiP芯片及其制备方法，该MiP芯片中，通过通孔将承接层划分为多块，从而避免了后续工艺中承接层整面受力而产生碎裂或破损的问题出现；另外，重布线层覆盖于LED芯片的非出光面整面，其底端局部区域贯穿通孔，与承接层连接或嵌装于通孔内，有效防止了LED芯片脱落。

主权项：1.一种MiP芯片，其包括至少三颗不同基色的LED芯片（1），其特征在于，其还包括：透光的承接层（2），用于承载所述LED芯片（1），所述LED芯片（1）的出光面朝向所述承接层（2）；通孔（6），开设于相邻两个所述LED芯片（1）之间的所述承接层（2）中，所述通孔（6）贯穿所述承接层（2），通过通孔将承接层划分为多块；重布线层（4），包括电路结构（5），所述重布线层（4）覆盖于包含LED芯片（1）表面的整面，其底部局部区域贯穿所述通孔（6）、与承接层粘接或嵌装于通孔内，该MiP芯片包括透光的衬底（3）时，所述承接层（2）位于所述衬底（3）的上表面，所述重布线层（4）的底部局部区域沿所述通孔（6）延伸至所述衬底（3）、与所述衬底（3）连接；所述电路结构（5）用于将LED芯片（1）的电极与外部驱动电连接；所述MiP芯片包括对比度提升层（7），所述对比度提升层（7）位于所述衬底（3）的下表面，所述对比度提升层（7）中开设有透光孔（203），所述透光孔（203）与所述LED芯片（1）的出光面对应；MiP芯片作为显示屏像素时，所述对比度提升层（7）用于提升显示屏的显示对比度；制备所述MiP芯片的方法步骤包括：S1、提供一透光的衬底（3）、若干LED芯片（1）；S2、在所述衬底（3）的上表面涂覆透光的第一绝缘材料（200）；S3、采用巨量转移技术，将所述LED芯片（1）移至所述第一绝缘材料（200）中相应的MiP芯片所在区域，所述LED芯片（1）的出光面朝向所述第一绝缘材料（200），巨量转移时，首先采用激光剥离方式或湿法腐蚀方式将衬底（3）上的LED芯片（1）转移至临时基板上，然后采用激光转移方式，将临时基板上的LED芯片（1）转移至所述第一绝缘材料（200）上；S4、所述第一绝缘材料（200）固化，形成承接层（2），所述承接层材料包括PDMS；S5、采用光刻及刻蚀工艺，在相邻两个所述LED芯片（1）之间的所述承接层（2）中开设通孔6，所述通孔6贯穿所述承接层2；S6、制备重布线层4；S7、基于单个MiP芯片所在区域进行切割，获得若干独立的MiP芯片，或，去除所述衬底3后，基于单个MiP芯片所在区域进行切割，获得若干独立的MiP芯片；所述MiP芯片包括对比度提升层（7），该方法步骤还包括：在所述衬底3的下表面制备具有透光孔（203）的对比度提升层7。

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