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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明公开一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器，包括基体层，金属层，金属层上形成的电路结构，其中所述带通滤波器电路结构包括所述输入端口和所述输出端口之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，采用特定的紧凑结构和薄膜无源集成技术实现尺寸小、损耗低、带外抑制好、成本低的无源带通滤波器。采用包含变压器、电容电感组成谐振器的拓扑结构能解决带内损耗高的问题，同时增加了高次模零点加强带外抑制，并且较大地减少芯片尺寸，易于集成。
主权项：1.一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器,其特征在于包括基体层、金属层、输入端口1、输出端口2以及金属层上形成的电路结构；所述基体层，包括衬底层和位于衬底层上方的多层介质层；所述电路结构包括位于所述输入端口1和所述输出端口2之间的m个片上变压器式滤波器,以及位于所述输入端口1和片上变压器式滤波器间的n1个LC谐振器、位于所述输出端口2和片上变压器式滤波器间的n2个LC谐振器，其中n1≥0,n2≥0,m≥1，且n1、n2不同时为0。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 一种基于IPD的小型化高带外抑制带通滤波器
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