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申请/专利权人：翱捷科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种具有低失调和高电源抑制比的带隙基准电路，包括带隙基准核心。所述带隙基准核心是：串联的第一电阻和第一双极性晶体管构成第一支路，两个器件的连接处称为节点x；第一电阻的第一端连接内部电压V1，第二端连接节点x；第一双极性晶体管的基极连接第一电阻的第一端，集电极连接节点x，发射极接地；串联的第二电阻和第二双极性晶体管构成第二支路，两个器件的连接处称为节点y；第二电阻的第一端连接内部电压V1，第二端连接节点y；第二双极性晶体管的基极连接节点x，集电极连接节点y，发射极接地；所述第一电阻上产生正温度系数电流。本发明提出的带隙基准电路具有低失调、高电源抑制比、面积小的特点。
主权项：1.一种具有低失调和高电源抑制比的带隙基准电路，其特征是，包括带隙基准核心；所述带隙基准核心是：串联的第一电阻和第一双极性晶体管构成第一支路，两个器件的连接处称为节点x；第一电阻的第一端连接内部电压V1，第二端连接节点x；第一双极性晶体管的基极连接第一电阻的第一端，集电极连接节点x，发射极接地；串联的第二电阻和第二双极性晶体管构成第二支路，两个器件的连接处称为节点y；第二电阻的第一端连接内部电压V1，第二端连接节点y；第二双极性晶体管的基极连接节点x，集电极连接节点y，发射极接地；第一电阻和第二电阻的电阻值相等；第一双极性晶体管和第二双极性晶体管的尺寸比是1：N，N为＞1的整数；所述第一电阻上产生正温度系数电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 翱捷科技股份有限公司 一种具有低失调和高电源抑制比的带隙基准电路
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