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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司
摘要：本申请公开一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件，属于半导体工艺技术领域，该方法在第一栅极和第二栅极和高掺杂N型扩散区、低掺杂N型扩散区、高掺杂P型扩散区、低掺杂P型扩散区的上表面依次沉积第一厚度的第一过渡金属层、第二厚度的第一镍金属层、第三厚度的氮化钛保护层形成第一镍硅化物合金层；在第一栅极、第二栅极和高掺杂N型扩散区、高掺杂P型扩散区对应的第一镍硅化物合金层之上依次沉积第四厚度的第二过渡金属层、第五厚度的第二镍金属层、第六厚度的氮化钛保护层形成第二镍硅化物合金层，其中第二镍硅化物合金层的厚度大于第一镍硅化物合金层的厚度。本申请可以显著降低CMOS器件的晶体管栅极和源漏电极的接触层的接触电阻率。
主权项：1.一种CMOS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在硅衬底上形成由隔离区隔离出的NMOS区和PMOS区，在所述NMOS区生长形成第一栅极和在所述PMOS区生长形成第二栅极；通过离子注入分别在所述第一栅极的两侧形成高掺杂N型扩散区和低掺杂N型扩散区，在所述第二栅极的两侧形成高掺杂P型扩散区和低掺杂P型扩散区；在所述第一栅极和第二栅极的上表面和所述高掺杂N型扩散区、低掺杂N型扩散区、高掺杂P型扩散区、低掺杂P型扩散区的上表面均依次沉积第一厚度的第一过渡金属层、第二厚度的第一镍金属层、第三厚度的氮化钛保护层，通过第一快速热处理工艺形成第一镍硅化物合金层；在所述第一栅极、第二栅极的上表面和所述高掺杂N型扩散区、高掺杂P型扩散区对应的第一镍硅化物合金层之上均依次沉积第四厚度的第二过渡金属层、第五厚度的第二镍金属层、第六厚度的氮化钛保护层，通过第二快速热处理工艺形成第二镍硅化物合金层，其中所述第二镍硅化物合金层的厚度大于所述第一镍硅化物合金层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 一种CMOS器件的制备方法及CMOS器件
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