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申请/专利权人：齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要：本发明属于晶体生长和电池材料制备技术领域，尤其涉及一种Zn掺杂的钠离子层状氧化物及其制备方法和应用。所述钠离子层状氧化物的结构通式为NaNiiFejMnkO2，其中i+j+k=1；所述Zn掺杂的钠离子层状氧化物为纯相钠离子层状氧化物，Zn掺入到所述钠离子层状氧化物的晶格中；所述Zn掺杂的钠离子层状氧化物的颗粒尺寸为3～8um。本发明将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入钠离子层状氧化物前驱体，晶体生长时Zn抑制Na源的挥发损失。本发明通过Zn掺杂，能够有效抑制钠离子层状氧化物晶体生长时的Na源的挥发损失，从而避免钠源过量。同时，高温下Zn元素的助熔作用使得钠离子层状氧化物晶体能够长成颗粒尺寸较大的单晶，从而提高其电化学稳定性。
主权项：1.一种Zn掺杂的钠离子层状氧化物，其特征在于，所述钠离子层状氧化物的结构通式为NaNiiFejMnkO2，其中i+j+k=1；所述Zn掺杂的钠离子层状氧化物为纯相钠离子层状氧化物，Zn掺入到所述钠离子层状氧化物的晶格中；所述Zn掺杂的钠离子层状氧化物的颗粒尺寸为3～8um，所述Zn掺杂的钠离子层状氧化物的制备方法，包括以下步骤：（1）按照化学计量比将Na源、Ni源、Fe源、Mn源和Zn源进行球磨混合，制得前驱体；所述的Na源为碳酸钠或硝酸钠，严格按照化学计比称取，不存在任何过量或者不足；所述的Zn源为ZnO或者ZnNO32·6H2O，用量为Na：Zn=1mol：xmol，x=0.001～0.015；（2）将步骤（1）中的前驱体置于管式炉中，由25℃程序升温至800～1100℃，保温一段时间后，随炉冷却，制得Zn掺杂的钠离子层状氧化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 齐鲁工业大学(山东省科学院) 一种Zn掺杂的钠离子层状氧化物及其制备方法和应用
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