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申请/专利权人：湖北久之洋红外系统股份有限公司;华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)
摘要：本发明公开了一种高附着力Cu薄膜电极，由下至上依次为光学基片、电加热膜、过渡连接层、Cu薄膜；所述过渡连接层采用金属铬膜，厚度为12nm～15nm；本发明所得金属薄膜电极具有优良牢固度，和光学基片表面膜层的附着力优良；可以实现膜层焊接不穿孔脱落、电阻值低，易于在其表面采用焊接的方式连接引线，且多次通电稳定可靠，环境适应性好；形状和轮廓可以根据设计要求进行定制，设计合适结构的镀膜治具即可实现各种形状金属薄膜电极的镀制。
主权项：1.一种高附着力Cu薄膜电极，其特征在于由下至上依次为光学基片、电加热膜、过渡连接层、Cu薄膜；所述过渡连接层采用金属铬膜，厚度为12nm~15nm，通过离子束辅助热蒸发的方式制备；所述电加热膜根据光学窗口所需的工作波段选取合适的技术路径，具体采用ITO导电膜或金属栅条电极；所述Cu薄膜分三段镀制：第一段低速率沉积且加离子源辅助，沉积速率为0.4±0.1nms，沉积厚度75±5nm；第二段较高速率沉积且加离子源辅助，沉积速率为1.5±0.1nms，沉积厚度225±10nm；第三段不加辅助离子源、高速率沉积，沉积速率为3.5±0.1nms，沉积厚度900±50nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北久之洋红外系统股份有限公司 华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所) 一种高附着力Cu薄膜电极及其制备方法
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